База кодов ТНВЭД

8456 - Станки для обpаботки любых матеиалов путем удаления матеpиала с помощью лазеpного или дpугого светового или фотонного луча, ультpазвуковых, электpоpазpядных, электpохимических, электpонно-лучевых, ионно-лучевых или плазменно-дуговых пpоцессов:

Станки данной товарной позиции представляют собой машины для формовки или обработки поверхности любого материала. Они должны соответствовать трем основным требованиям:

(i) Они должны производить обработку путем удаления материала;

(ii) Они должны выполнять операции того типа, которые выполняются станками с обычным режущим инструментом;

(iii) Они должны использовать один из семи следующих методов обработки: лазерным или другим световым или фотонным лучом, ультразвуком, электрическим разрядом, электронным лучом, ионным лучом или плазменной дугой, электрохимическим методом.

(А) Станки лазерные, электронно-лучевые, ионно-лучевые и другие лучевые

Обработка лазерным лучом (фотонная обработка) заключается в бомбардировке цели фотонами. Эта группировка включает, в частности, станки для сверления (металлов, полупроводниковых кристаллов, рубинов для часов и т.д.), станки для резки металлов или других твердых материалов и станки для гравирования (цифр, букв, линий и т.д.) на различных высокопрочных (твердых) материалах.

(Б) Станки ультразвуковые

Ультразвуковые станки состоят из пуансона, подвергаемого ультразвуковым вибрациям, и абразивного материала в виде суспензии. Такие станки могут включать систему многократной циркуляции абразивного материала.

Данная группировка включает станки, которые используются, в частности, для выполнения указанных ниже функций:

(1)Для резки полупроводниковых чипов (кристаллов), а также для резки или сверления керамических подложек для интегральных схем;

(2)Для обработки алмазов или цементитовых пуансонов или штампов;

(3)Для сверления или формовки (придания формы) минералов;

(4)Для гравирования на стекле;

(5)Для фрезерования, протяжки, прошивки или полирования.

(В) Станки электроэррозионные

Принцип действия этого типа обработки состоит в удалении металла, заключенного между двумя металлическими электродами (заготовка и обрабатывающий инструмент), путем прерывистых электрических разрядов очень короткой длительности с частотой несколько сотен тысяч Гц. Эта группировка включает, например, металлорежущие станки высокочастотного искрового разряда.

(Г) Станки для электрохимической обработки

Принципом данного типа обработки является удаление металла путем электролиза. Заготовка (анод) является проводником электрического тока, как и обрабатывающий инструмент (катод). Оба погружаются в выбранный электролит, который делает невозможным катодное осаждение, и тем самым обеспечивает анодное растворение.

Данная группировка включает:

(1) Аппараты для электролитического полирования или шлифования, используемые для обработки образцов для микроскопического или металлургического анализа.

(2) Электролитические заточные станки для заточки режущего инструмента, нарезки бороздок дробления кристаллов или резки цементитовых пластин; эти станки используют алмазный круг.

(3) Машины для удаления заусенцев у различных типов зубчатых колес путем анодного растворения.

(4) Машины для точного полирования или шлифования плоских поверхностей и т.д.

(Д) Станки электронно-лучевые

Обработка электронным лучом заключается в бомбардировке детали на очень небольшой поверхности электронами, излучаемыми катодом, усиленной мощным электрическим полем, и фокусируемыми системой магнитных или электростатических линз.

(Е) Станки ионно-лучевые

Луч в этих станках воздействует непрерывно, а не импульсами, как в случае лазерного луча.

(Ж) Станки для плазменной обработки

Обработка методом воздействия плазменной дуги включает интенсивную ионизацию газа с помощью электрического тока, создаваемого генератором магнитных импульсов при высоком напряжении. Он обеспечивает возможность резки пластин с очень высокой скоростью, а также черновую нарезку и обработку резьбы.

(З) Станки для сухого травления на полупроводниковых материалах

Станки для сухого травления на полупроводниковых материалах являются частью процесса производства полупроводниковых пластин.

Некоторые станки сухого травления используют энергию радиочастот (РЧ) в частотном диапазоне 100 - 450 кГц. Другие станки сухого травления используют энергию РЧ на частоте 13,56 МГц, в то время как другие используют микроволновые частоты на уровне 2,45 ГГц. Выбор частоты входной энергии может действовать на ионную энергию результирующей плазмы. В некоторых случаях плазменные ионы имеют очень малую направленную энергию. В других случаях плазменные ионы обладают большим количеством направленной энергии. В последнем случае могут использоваться ионные лучи.

Используются следующие термины для описания специфических форм сухого травления: "плазменное травление параллельной пластиной, травление реактивными ионами, травление ионным лучом с магнитным управлением, звуковое травление на электронном циклотроне". Эти различные термины описывают различные технологии, используемые для создания газовой плазмы различного поведения.

Части и принадлежности

В соответствии с общими положениями, касающимися классификации частей (см. Общие положения пояснений к разделу XVI), части и принадлежности для станков данной товарной позиции классифицируются в товарной позиции 8466.

***

Из данной товарной позиции также исключаются:

(а) Ультразвуковые аппараты для очистки (товарная позиция 8479).

(б) Машины и аппараты для пайки, твердой пайки (пайки твердым припоем) или сварки, независимо от их способности осуществлять резку (товарная позиция 8515).

(в) Испытательные машины (товарная позиция 9024).

***

Пояснения к субпозиции

Субпозиция 8456 91

В эту субпозицию включаются станки для сухого травления рисунка на полупроводниковых материалах; эти станки обычно известны как установки сухого травления. В установках сухого травления используются различные методы создания газообразной плазмы, которая удаляет тонкую пленку материалов с полупроводниковых пластин. Процесс сухого травления применяется на полупроводниковой пластине после того, как закончен литографский процесс нанесения рисунка, который должен быть вытравлен. Он является анизотропным, так как ионы падают на пластину параллельными курсами, перпендикулярно плоскости пластины. Анизотропное травление позволяет копировать рисунок на полупроводниковую пластину без подрезания сторон протравленных каналов.

Установки сухого травления включают в себя одну или более реактивных камер, насосы, вакуумные насосы, генераторы радиочастот или микроволн, оборудование управления газовым потоком и оборудование управления процессом. Они могут включать механизмы автоматической загрузки пластин и их реактивные камеры могут одновременно обрабатывать множество полупроводниковых пластин.

Пояснения к подсубпозициям

8456 10 001 0 - 8456 10 009 0

В дополнение к машинам, указанным в пояснениях ГС к данной товарной позиции пункт (А), эти подсубпозиции включают машины для лазерной подстройки электрических резисторов в печатных платах, когда с помощью лазерного луча снимается слой электропроводного материала, образующего резистор на изолирующей подложке, до достижения необходимого уровня сопротивления.

8456 30 110 1 - 8456 30 110 9

Эти машины снабжены электродом, который состоит из провода малого диаметра, намотанного между двумя шпульками с противоположных сторон обрабатываемого изделия.